FinFET, auch bekannt als Fin Field Effect Transistor, ist eine Art nicht-planarer oder “3D”-Transistor, der beim Design moderner Prozessoren verwendet wird. Wie bei früheren planaren Designs ist es auf einem SOI-Substrat (Silizium auf Isolator) aufgebaut. FinFET-Designs verwenden jedoch auch einen leitenden Kanal, der sich über das Niveau des Isolators erhebt, wodurch eine dünne, rippenförmige Siliziumstruktur entsteht, die als Gate-Elektrode bezeichnet wird. Die flossenförmige Elektrode ermöglicht den Betrieb mehrerer Gates an einem einzigen Transistor.
Diese Art von Multi-Gate-Prozess erweitert das Mooresche Gesetz und ermöglicht es Halbleiterherstellern, CPUs und Speichermodule zu entwickeln, die kleiner sind, schneller arbeiten und weniger Energie verbrauchen. Intel begann 2012 mit der Veröffentlichung der FinFET-CPU-Technologie mit seinen 22-nm-Ivy-Bridge-Prozessoren.
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